江门半导体晶圆商家

    金属层310可以代换为金属层510。图6所示剖面600的**是晶圆层320。该结构300所形成的芯片可以是矩形，也可以是正方形。在该晶圆层320的中间是该金属层310。该金属层310的上下轴长度611与左右轴长度612可以是相同，也可以不同。当两者相同时，该金属层310的剖面是正方形。该金属层310剖面与该晶圆层320外缘之间，是该晶圆层320用于包围该金属层310的四个边框。该四个边框的厚度可以相同，也可以不同。举例来说，相对于上下外缘的厚度621与623可以相同，相对于左右外缘的厚度622与624可以相同。但厚度621与622可以不同。本领域普通技术人员可以透过图6理解到，本申请并不限定该晶圆层320外缘的形状。换言之，本申请不限定该芯片的形状。本申请也不限定该金属层310的形状。除此之外，当该晶圆层320与该金属层310都是矩形时，本申请也不限定该晶圆层320用于包围该金属层310的四个边框的厚度。在一实施例当中，这四个边框的厚度621~624可以相同，以简化设计与制作的问题。在另一实施例当中，这四个边框当中两组边框的厚度可以相同，以简化设计与制作的问题。在更一实施例当中，这四个边框的厚度621~624可以完全不同，以便适应芯片设计的需要。请参考图7所示。半导体晶圆的采购渠道有哪些？江门半导体晶圆商家

    请参考图10a所示，其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构1000的剖面示意图。和图9所示的实施例不同之处，在于该结构1000包含了金属层1010与树酯层1040。为了减薄在边框结构与内框结构之间的金属层810，可以在上述区域中使用较厚的树酯层1040来替换掉金属层1010的金属。和图9所示的结构900相比，该金属层1010的第四表面1014与该晶圆层820的***表面821的**短距离，要小于该金属层810的第四表面与该晶圆层820的***表面的**短距离。由于该结构1000的金属层1010的大部分比该结构900的金属层810的大部分较薄，因此可以节省金属本身的成本，也可以节省制作该金属层810的步骤的成本。请参考图10b所示，其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构1000的剖面示意图。图10b所示的实施例是图10a所示实施例的一种变形。和图10a的金属层1010相比，图10b所示实施例的金属层1010比较厚。图10b所示实施例的其余特征均与图10a所示实施例相同。请参考图11a所示，其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构的剖面1100的一示意图。该结构的剖面1100可以是图8a所示结构800的cc线剖面，也可以是图9所示结构900的cc线剖面，还可以是图10b所示结构1000的dd线剖面。为了方便说明起见。广东半导体晶圆加工流程半导体晶圆的运用场景。

    图11a所示的实施例是图8a所示的结构800，因此使用了金属层810与晶圆层820的符号。但本领域普通技术人员可以理解到，剖面1100可以适用于结构900或1000，金属层810可以代换为金属层1010。先前提到过，本申请并不限定内框结构的形状。举例来说，内框结构可以是x字型，还可以是v字型，也可以是井字型，也就是两组互相垂直的并行线结构。在图11a所示的实施例当中，晶圆层820的外缘形状是正方形，用白色来表示。晶圆层820的四个边框的820a宽度相等。在金属层810a的内部，还有晶圆层的内框结构820b。该内框结构820b的内部尚有金属层810b。图11a所示晶圆层820的边框结构820a与内框结构820b是同心的相应形状。由于芯片的设计当中，在中心的区域由于具有和四边等距离的几何特性，因此通常是**适合放置逻辑电路。而在周边的区域，则通常会放置和存取相关的模拟电路。在这种的电路设计当中，由于逻辑电路一旦故障，整个芯片可能就得报废。而模拟电路的线路通常较粗，可能承受相同程度的损伤还不至于故障。所以可以利用内框结构820b来加强逻辑电路中心区域的结构强度，以增加芯片的强固程度。再者，虽然在图11a所示的实施例当中，只有一个内框结构820b。但本领域技术人员可以理解到。

    图9a至图9d揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图10a至图10c揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图11a至图11b揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图12a至图12b揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图13a至图13b揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图14a至图14b揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图15a至图15c揭示了在声波清洗晶圆过程中稳定的气穴振荡损伤晶圆的图案结构。图15d揭示了根据本发明的一个实施例的晶圆清洗的流程图。图16a至图16c揭示了根据本发明的一个实施例的晶圆清洗工艺。图17揭示了根据本发明的另一个实施例的晶圆清洗工艺。图18a至图18j揭示了气泡气穴振荡控制增强新鲜清洗液在晶圆上的通孔或槽内的循环。图19a至图19d揭示了对应于声能的气泡体积变化。图20a至图20d揭示了根据本发明的一个实施例的有效清洗具有高深宽比的通孔或槽的特征的声波晶圆清洗工艺。图21a至图21c揭示了根据本发明的另一个实施例的清洗工艺。图22a至图22b揭示了根据本发明的另一个实施例的使用声能清洗晶圆的工艺。半导体晶圆销售厂家、。

    提供具有边框结构的基板结构、半导体晶圆、以及晶圆制作方法。根据本申请的一实施例，提供一种承载半导体组件的基板结构，其特征在于，包含：一晶圆层，具有相对应的一***表面与一第二表面，其中该第二表面具有向该***表面凹陷的一中心凹陷区域，该中心凹陷区域位于该第二表面当中，使得该晶圆层的一边框结构区域环绕在该第二表面周围；以及一金属层，具有相对应的一第三表面与一第四表面，该第三表面完全贴合于该第二表面。在一实施例中，为了弥补较薄晶圆层的结构强度，其中该第二表面更包含具有向该***表面凹陷的一***环状凹陷区域，该***环状凹陷区域与该中心凹陷区域位于该第二表面当中，使得该晶圆层在该***环状凹陷区域与该中心凹陷区域之间形成环状的一***内框结构区域。在一特定实施例中，为了更弥补较薄晶圆层的结构强度，其中该第二表面更具有向该***表面凹陷的第二环状凹陷区域，该第二环状凹陷区域位于该第二表面当中，使得该晶圆层在该第二环状凹陷区域与该中心凹陷区域之间形成环状的一第二内框结构区域，该***环状凹陷区域完全包含环状的该***内框结构区域，该***内框结构区域完全包围该第二环状凹陷区域，该第二环状凹陷区域完全包围该第二内框结构区域。半导体晶圆用的精密运动平台，国内有厂家做吗？广东半导体晶圆加工流程

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    其为根据本申请一实施例的晶圆1400的一示意图。除了下列的不同之处以外，先前有关于晶圆1300的叙述都可能可以套用在晶圆1400的实施例上。晶圆1400包含了三种不同形状或尺寸的芯片，分别是芯片1310、1420与1430。在一实施例中，这三个芯片1310~1430可以是同一种设计的芯片。换言之，这三个芯片1310~1430可以包含上述基板结构300~1200当中的其中一种。或者说整个晶圆1300所包含的所有芯片都包含同一种基板结构。在另一实施例当中，这三个芯片1310~1430可以是不同种设计的芯片。也就是说，这三个芯片1310~1330可以包含上述基板结构300~1200当中的其中两种或三种。换言之，整个晶圆1400的多个芯片包含两种以上的基板结构。举例来说，芯片1310可以包含基板结构500，芯片1420可以包含基板结构900，芯片1430可以包含基板结构400。在另一范例中，芯片1310可以包含基板结构300，芯片1420可以包含基板结构800。图14所示的芯片也可以包含图6、7、11、12分别所示的四种剖面600、700、1100与1200。换言之，本申请并不限定同一个晶圆上的任两颗芯片使用相同的剖面。从图13与14所示的晶圆1300与1400当中可以得知，本申请并不限定同一晶圆上的芯片是否都具有同一尺寸与形状。江门半导体晶圆商家

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